BSZ900N20NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ900N20NS3GATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3
BSZ900N20NS3GATMA1 ✓ ActifInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ900N20NS3GATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,65 |
| Part Number | BSZ900N20NS3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 15.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 90 mΩ | — |
| Typical RDS(on) @ VGS=10V | 77 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 62.5 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product page) |