BTH60702EPVXUMA1 vs BTG7003A1EPWXUMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTH60702EPVXUMA1 par Infineon et BTG7003A1EPWXUMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTH60702EPVXUMA1 BTG7003A1EPWXUMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $2,20
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family PROFET + 48V —
Fonction Smart high-side power switch (dual channel, 2 x 1:1) —
On-State Resistance (typ.) 60 mΩ per channel —
Continuous Load Current (per channel) 1.7 A —
Number of Channels 2 1
Configuration 2 x 1:1 (dual independent high-side) 1:1 N-Channel
Type de transistor N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Nominal Operating Voltage 48 V board net —
Maximum Supply Voltage 54 V —
Load Voltage Range [DATA_NEEDED: load voltage range] —
Current Sense / Diagnosis Yes (analog current-sense output) —
Protection Features Over-load, short-circuit, over-voltage, reverse battery, thermal shutdown —
Boîtier PG-TSDSO-14 with exposed pad PG-TSDSO-14-22 (exposed pad)
Operating Temperature (junction) -40 °C to +150 °C (automotive grade) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Switch Type — High-Side Power Switch
Maximum Continuous Load Current — 15.7 A
Operating Voltage Range — 6 V to 18 V
Load Dump Tolerance — 40 V
Idle Mode Quiescent Current — 50 µA
On-Resistance R_DS(on) — 10 mΩ (typ)
Control Input — Active High
Wire Protection — Integrated I²t
Functional Safety — ISO 26262 compliant
Température de fonctionnement — -40C to +150C (TJ)

Fiches techniques et ressources

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