CGD65A055S2 vs CGD65A055SH2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de CGD65A055S2 par Cambridge GaN Devices et CGD65A055SH2 par Cambridge GaN Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | CGD65A055S2 | CGD65A055SH2 |
|---|---|---|
| Marque | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Catégorie | Transistors | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,85 | $7,40 |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | — |
| Technology | GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 55 mΩ | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 27 A | — |
| Gate Technology | ICeGaN™ (standard-driver compatible) | — |
| Current Sense Pin | Yes (integrated CS output) | — |
| Integrated Protection Circuit | NL³ (non-linear low-loss) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (zero, typical for GaN) | — |
| Boîtier | 16-pin DFN 8x8 mm | 16-DFN (8x8 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode (normally-off) | Enhancement-mode (normally-off) |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | — |
| Polarity | Single FET | N-Channel |
| Transistor Technology | — | Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 27 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 55 mΩ (typical, per family designation) |
| RDS(on) at specified ID/VGS | — | 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data) |
| Gate Charge (Qg) | — | 4 nC at VGS=12 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Recommended | — | 12 V |
| Integrated Features | — | ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Style de montage | — | SMD/SMT |
| Application Target | — | AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing) |