DRV8350SRTVT vs DRV8350FHRTVR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DRV8350SRTVT par Texas Instruments et DRV8350FHRTVR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
DRV8350SRTVT DRV8350SRTVT - 102V 3-Phase Smart Gate Driver WQFN-32 | TI

DRV8350SRTVT - 102V 3-Phase Smart Gate Driver WQFN-32 | TI

DRV8350SRTVT ✓ Actif
Texas Instruments
DRV8350FHRTVR DRV8350FHRTVR - 102V 3-Phase Smart Gate Driver | Texas Instruments

DRV8350FHRTVR - 102V 3-Phase Smart Gate Driver | Texas Instruments

DRV8350FHRTVR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre DRV8350SRTVT DRV8350FHRTVR
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Motor Drivers Motor Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,05 $4,46
Product Type 3-Phase Smart Gate Driver Three-phase smart gate driver (HW interface)
Motor Type Brushless DC (BLDC) —
Supply Voltage Range 9 V to 100 V (102 V abs max) —
Number of Half-Bridges 3 3
Peak Gate Drive Source Current 1 A —
Peak Gate Drive Sink Current 2 A —
Interface SPI Hardware (HW) variant - SPI-less
Integrated Buck Regulator Yes —
Integrated Current Shunt Amplifiers 3 (low-side) —
Slew Rate Control Adjustable via SPI —
VGS Handshake Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C (junction) —
Boîtier WQFN-32 (RTV) 5x5 mm WQFN-32 (RTV) 5 x 5 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 (1 year floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Supply Voltage (VM) — 6 V to 95 V (102 V abs max)
Peak Gate Drive Current — [DATA_NEEDED: peak source/sink current A]
Gate Drive Current Settings — Adjustable (e.g., 250 mA / 750 mA)
PWM Modes — 1-PWM, 3-PWM, 6-PWM
Built-in Bootstrap Diodes — Yes (3)
Current Shunt Amplifier — Integrated, 75-V common mode, adjustable gain
Protection Features — UVLO, OCP, OTP, gate-drive fault, ESD
Functional Safety — Quality-Managed (FMEDA + safety manual)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C

Fiches techniques et ressources

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