EP1C12F256C8 vs EP1C12F256C6 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP1C12F256C8 par Intel et EP1C12F256C6 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP1C12F256C8 | EP1C12F256C6 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,20 | $48,29 |
| Series | Cyclone | Cyclone I |
| Family | Cyclone I | — |
| Logic Elements (LE) | 12,060 | — |
| Total RAM Bits | 239,616 | — |
| Number of LABs/CLBs | 1,206 | — |
| Number of Logic Elements/Cells | 12,060 | — |
| Number of I/O | 185 | — |
| Number of PLLs | 2 | — |
| Total Memory Bits | 239,616 | — |
| Boîtier / Format | 256-BGA (FBGA) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C (commercial grade) | 0C to +85C (commercial, C6 speed grade) |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| I/O Voltage Range | 1.5 V to 3.3 V | — |
| Supplier Device Package | 256-FBGA (17x17 mm) | — |
| Process Technology | 130 nm SRAM | 130 nm SRAM, 1.5 V core |
| Configuration Method | Passive Serial / Active Serial / JTAG | — |
| Logic Elements | — | 12,060 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 1,206 |
| Embedded RAM Bits | — | 239,616 bits (52 M4K blocks) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 17 |
| Maximum User I/Os | — | 185 |
| PLLs | — | 2 |
| Boîtier | — | 256-BGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch) |
| Speed Grade | — | C6 (mid-tier) |
| Configuration Modes | — | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL-2/3, PCI |
| LVDS Data Rate | — | Up to 640 Mbps |