EP1C6F25617L vs EP1C12F256C8N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP1C6F25617L par Altera et EP1C12F256C8N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP1C6F25617L | EP1C12F256C8N |
|---|---|---|
| Marque | Altera | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $26,40 | $15,10 |
| Family | Cyclone | Cyclone I |
| Logic Elements | 5,980 LE | — |
| Total RAM Bits | 92,160 bits (90 Kbits) | — |
| Embedded RAM Blocks | M4K blocks (20 blocks) | — |
| User I/O Pins (max) | 185 | — |
| PLLs | 2 | 2 |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| Boîtier | 256-pin FineLine BGA (FBGA-256) | 256-ball FBGA (FineLine BGA), 17x17 mm, 1.0 mm pitch |
| Speed Grade | -7 | C8 (commercial, -8) |
| Core Voltage | 1.7 V (L variant) | — |
| I/O Voltage | 3.3 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial) | — |
| Configuration Mode | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG | — |
| Process Technology | 130 nm SRAM | 0.13-µm, all-layer copper SRAM |
| Statut RoHS | Compliant (L suffix indicates lead-free) | — |
| Logic Elements (LEs) | — | 12,060 |
| Total Memory Bits | — | 239,616 bits |
| Embedded Memory Blocks | — | 52 M4K (4,608 bits each) |
| Maximum User I/Os | — | 185 |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V |
| Lead-Free / Pb-Free Suffix | — | Yes (N suffix) |
| Maximum Internal Operating Frequency | — | up to 275.03 MHz |
| Operating Temperature (commercial) | — | 0C to +85C |
| Configuration Method | — | Active Serial, Active Parallel, Passive Serial, JTAG |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |