EP1SGX40GF800C7N vs EP1SGX25DF800C6N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP1SGX40GF800C7N par Intel et EP1SGX25DF800C6N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP1SGX40GF800C7N EP1SGX25DF800C6N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $110,00 $118,00
Family Stratix GX Stratix GX
Logic Elements 41,250 25,560 LEs
Embedded Memory Bits 3,423,744 bits —
DSP Blocks 624 Yes, embedded multiplier blocks
Multi-Gigabit Transceivers 20 channels, up to 3.1875 Gbps —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins [DATA_NEEDED: max user I/O count] —
Process Technology 130 nm CMOS —
Core Voltage 1.5 V 1.5 V
I/O Voltage 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (LVTTL/LVCMOS/LVDS) —
Boîtier 800-ball FineLine BGA (FBGA-800) FBGA-780 (FineLine BGA, 800-ball per JEDEC ordering code)
Speed Grade 7 (commercial, fastest) 6
Température de jonction en fonctionnement 0C to +85C —
Configuration Mode Passive Serial / Fast Passive Parallel / Passive Parallel Asynchronous / JTAG —
Memory Interfaces Supported DDR, DDR2, QDR, RLDRAM —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Maximum Transceiver Channels — 20 channels
Maximum Transceiver Data Rate — 3.1875 Gbps
Process Node — [DATA_NEEDED: process node]
Température de fonctionnement — Commercial (0 C to +85 C)
Configuration Method — Passive Serial / Passive Parallel / Active Serial / JTAG
Transceiver Encoding — 8B/10B
Clock Data Recovery (CDR) — Yes, integrated per channel
Type de mémoire — TriMatrix embedded SRAM
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free — [DATA_NEEDED: lead free status]

Fiches techniques et ressources

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