EP2A40B724C8ES vs EP2A40B724C7 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2A40B724C8ES par Intel et EP2A40B724C7 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2A40B724C8ES EP2A40B724C7
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $162,00 $650,00
Series APEX II (EP2A) —
Family Field Programmable Gate Array (FPGA) APEX II
Logic Elements / Cells 38,400 38,400
Number of Gates (typical) 655,360 —
Number of I/O 540 —
Boîtier 724-BBGA / FCBGA 724-ball FCBGA (FineLine BGA), 35 mm x 35 mm
Speed Grade -8 (C8) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 °C to +85 °C (commercial)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Non-compliant (lead-bearing FCBGA)
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: VCCINT / VCCIO core and I/O voltages] —
Process Node [DATA_NEEDED: CMOS process technology] —
Embedded Memory Embedded System Blocks (ESB) —
Programmable Logic Type SRAM-based, in-system reconfigurable —
Lead-Free Status [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Architecture MultiCore interconnect with LABs and ESBs —
Total System Gates — 1,500,000
Embedded RAM Bits — 655,360
Maximum User I/O — 540
Core Supply Voltage — 1.425 V to 1.575 V (typ. 1.5 V)
Process Technology — 0.15 µm CMOS, up to 8 metal layers, all-layer copper
Maximum Internal Frequency — 562 MHz
PLLs — 4
I/O Standards Supported — LVTTL, LVCMOS, 1.5 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V, SSTL, HSTL, PCI, LVDS, LVPECL, PCML, HyperTransport, True-LVDS (1 Gbps)
Configuration Method — JTAG (IEEE 1149.1), Passive Serial, Passive Parallel, Active Serial via EPC configuration devices
MultiVolt I/O Support — 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
DDR Memory Support — Yes (via ESB / I/O circuitry)

Fiches techniques et ressources

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