EP2C50U484C8N vs EP2C50U484C8 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP2C50U484C8N par Intel et EP2C50U484C8 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP2C50U484C8N | EP2C50U484C8 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $155,85 | $72,89 |
| Series | Cyclone II | — |
| Family | Cyclone II (90 nm) | Cyclone II |
| Logic Elements (LE) | 50,528 | — |
| Embedded Memory (M4K blocks) | 594,432 bits (129 M4K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 86 | 86 |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/Os | 294 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Speed Grade | C8 (commercial, mid-tier) | C8 (-8 speed bin) |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to +85 °C (Commercial) |
| Boîtier | 484-ball FBGA (UBGA-484) | 484-ball FineLine BGA (UBGA-484), 19 x 19 mm, 1.0 mm pitch |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | 90 nm low-k CMOS | — |
| Configuration Methods | Passive Serial, Active Serial, JTAG | — |
| Memory Interface Support | DDR, DDR2, SDR SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | — |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | — |
| Logic Elements | — | 50,528 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 3,158 |
| Embedded Memory Bits | — | 594,432 |
| M4K RAM Blocks | — | 250 (4 Kbit each) |
| User I/O Pins | — | 294 (132 differential pairs max) |
| Process Node | — | 90 nm CMOS |
| Core Voltage | — | 1.15 V to 1.25 V |
| Configuration Modes | — | JTAG, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), Passive Serial (PS) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free (UBGA package), RoHS compliant |