EP3SE260F1152C2N vs EP3SE260F1152C3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE260F1152C2N par Intel et EP3SE260F1152C3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE260F1152C2N EP3SE260F1152C3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11 000,00 $7 500,00
Series Stratix III E Stratix III E
Family FPGA - Field Programmable Gate Array —
Number of Logic Elements 255000 —
Number of LABs/CLBs 10200 —
Total Memory Bits 16672768 —
Number of I/O 744 —
Voltage - Supply 1.1 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature grade] 0 C to +85 C (Commercial)
Boîtier / Format 1152-BBGA, FCBGA —
Process Technology 65 nm 65 nm
Maximum Frequency 600 MHz —
Supplier Device Package 1152-FCBGA —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes (per EP3SE260F1152C2G comparison) —
ECCN [DATA_NEEDED: ECCN code] —
Moisture Sensitivity [DATA_NEEDED: MSL level] —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Boîtier — 1152-BBGA, FCBGA
Core Voltage — 1.1 V
Transceivers — Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks — Yes (dedicated multiplier/accumulator)
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)

Fiches techniques et ressources

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