EP3SE50F484C2G vs EP3SE50F484C3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE50F484C2G par Intel et EP3SE50F484C3G par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EP3SE50F484C2G EP3SE50F484C2G - Stratix III E FPGA 47.5K LE 484-FBGA | Intel

EP3SE50F484C2G - Stratix III E FPGA 47.5K LE 484-FBGA | Intel

EP3SE50F484C2G ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE50F484C2G EP3SE50F484C3G
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Dernier achat NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 180,00 $205,00
Series Stratix III E —
Number of Logic Elements / Cells 47,500 —
Number of LABs / CLBs 1,900 —
Total RAM Bits 5,760,000 (5,760 Kbit) —
Number of User I/O 296 —
Boîtier / Format 484-BBGA, FCBGA (FineLine BGA) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Core Voltage Supply 0.86 V to 1.15 V —
Température de fonctionnement 0 °C to +85 °C (TJ) 0C to +85C (commercial, "C")
Process Technology 40 nm TSMC low-power CMOS —
Logic Element Architecture Adaptive Logic Module (ALM) with 8-input fracturable LUT —
Embedded DSP Blocks Yes (variable-precision multipliers) —
Transceivers Multi-gigabit transceivers (selected package pins) —
Memory Interface Support DDR / DDR2 / DDR3 with hard PHY —
Partial Reconfiguration Supported —
Configuration Interface JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel —
Part Status Active (Intel catalogue); long-term supply subject to Stratix III lifecycle policy —
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Family — Stratix III E
Logic Elements — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000
Total Embedded Memory — 5,760,000 bits (5.76 Mbit)
M9K Memory Blocks — 320 (2,304 Kbits)
M144K Memory Blocks — 12 (1,728 Kbits)
User I/O Pins — 296
18x18 Multipliers — 384
PLLs — 4
Global Clock Networks — 16
Boîtier — 484-ball FCBGA (F484), 1.0 mm pitch
Speed Grade — C3
Process Node — 65 nm TSMC low-power
Core Voltage — 1.1 V

Fiches techniques et ressources

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