EP3SE50F780C4N vs EP3SE50F780C4L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE50F780C4N par Intel et EP3SE50F780C4L par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE50F780C4N EP3SE50F780C4L
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 430,00 $1 320,00
Family Stratix III E Stratix III
Logic Elements (LE) 47,500 47,500
Embedded Memory Bits 5,760,000 —
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) 488 (per family datasheet) —
Number of LABs 1900 —
Maximum User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 432 304 (19x16)
PLLs 12 (per family datasheet) [DATA_NEEDED: PLL count]
Maximum Operating Frequency 717 MHz —
Transceiver Channels Up to 12 (per family, model-dependent) —
Transceiver Data Rate Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family) —
Process Node 40 nm 40 nm
Boîtier 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA)
Type de montage Surface Mount (BGA) —
Tension d'alimentation Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail) —
Température de fonctionnement 0C to +85C (C4 commercial grade) [DATA_NEEDED: full industrial/commercial grade]
Configuration Modes JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel —
Statut RoHS Lead-free / RoHS compliant Compliant (lead-free)
Niveau MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package) —
Hard Memory Controller DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family) —
Series — Stratix III E
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Core Voltage — 1.1 V
Speed Grade — C4 (commercial, speed 4)
Lead-Free (L suffix) — Yes
Configuration Method — Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG / Enhanced
Transceivers — [DATA_NEEDED: per Stratix III E variant]

Fiches techniques et ressources

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