EP4CE15U14A7N vs EP4CE115F23I7N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE15U14A7N par Intel et EP4CE115F23I7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP4CE15U14A7N | EP4CE115F23I7N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $43,50 | $87,95 |
| Family | Cyclone IV E | EP4CE115 (F23 package) |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | 114,480 |
| Total Memory Bits | 516,096 bits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| General-Purpose PLLs | 4 | — |
| Maximum User I/Os | 165 | 280 |
| Boîtier | 256-ball UBGA (Ultra-FineLine BGA) | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch |
| Speed Grade | 7 | — |
| Core Voltage | 1.2 V | 1.0 V / 1.2 V |
| Process Node | 60 nm low-power | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +100C (Industrial) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, AP, PS | — |
| Bitstream Encryption | AES-128 (security-enhanced variant) | — |
| External Memory Support | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Embedded Memory Bits | — | 3,981,312 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 7,180 |
| Number of PLLs | — | 4 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 266 |
| I/O Voltage Banks | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Process Technology | — | 60 nm low-power CMOS (TSMC) |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Active Parallel |
| Niveau MSL | — | 3 |
| Lead-Free | — | Yes |