EP4CE75F23I8L vs EP4CE75F23I7N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE75F23I8L par Intel et EP4CE75F23I7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE75F23I8L EP4CE75F23I7N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $213,30 $118,00
Family Cyclone IV E Cyclone IV E (EP4CE)
Logic Elements 75,408 —
Embedded Memory (bits) 2,810,880 —
Number of M9K Memory Blocks 305 —
Embedded 18x18 Multipliers 274 15
User I/O Pins 292 —
PLLs 4 4
Global Clock Networks 20 —
Maximum User I/O 292 —
Boîtier 484-ball FBGA 484-ball FBGA (F23, 23 mm body, 1.0 mm pitch)
Température de fonctionnement -40C to +85C (Industrial) —
Supply Voltage (Core) 1.0 V / 1.2 V —
I/O Standards Supported LVDS, SSTL, HSTL, LVPECL, LVCMOS, LVTTL —
Configuration Modes AS, PS, FPP, JTAG Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Process Node 60 nm low-leakage —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 3 —
Type de montage Surface Mount (BGA) —
Product Line — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 75,408
Logic Array Blocks (LABs) — 4,713
Embedded Memory Bits — 2,810,880 bits (312 M9K blocks)
Distributed RAM Bits — 200 Kbits
Global Clocks — [DATA_NEEDED: global clock network count]
Maximum User I/Os — 292
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V nominal
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank)
Process Technology — 60 nm low-power CMOS
Operating Temperature Grade — Industrial (I7: -40C to +100C Tj)
External Memory Interfaces — DDR / DDR2 SDRAM, QDRII SRAM
Design Software — Quartus II / Quartus Prime

Fiches techniques et ressources

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