EP4CGX50CF23C6N vs EP4CGX50DF23C7N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CGX50CF23C6N par Intel et EP4CGX50DF23C7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CGX50CF23C6N EP4CGX50DF23C7N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $65,80 $43,20
Series Cyclone IV GX —
Device Family EP4CGX50 —
Logic Elements (LE) 49,888 —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 3,118 3,118
Total Memory Bits 2,562,048 bits —
Embedded Memory Blocks (M9K) 56 —
Embedded 18x18 Multipliers 132 66
Phase-Locked Loops (PLLs) 4 —
Global Clock Networks 11 8 (with up to 16 clock pins per region)
Maximum User I/O 290 —
Transceivers Up to 8 channels at 3.125 Gbps Up to 8 channels, 3.125 Gbps
Core Supply Voltage 1.2 V —
Process Technology 60 nm low-power CMOS 60 nm
Boîtier 484-ball FineLine BGA (FBGA-484) 484-ball FBGA (Plastic BGA, S-PBGA-B484, 23x23 mm)
Package Dimensions 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch —
Température de fonctionnement 0C to +85C (Commercial) 0 °C to 85 °C (commercial)
Speed Grade C6 —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free variant)
Family — Cyclone IV GX
Logic Elements — 49,888
Total RAM Bits — 2,432 Kbit (≈ 304 KB)
PLLs — 2
Number of I/O Pins — 290
Core Supply Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V)
Type de montage — Surface Mount
Configuration Modes — Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG
Supported Memory Interfaces — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
Niveau MSL — 3 (168 hours)

Fiches techniques et ressources

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