EPF10K100EFC484-1X vs EPF10K100EFC484-3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K100EFC484-1X par Intel et EPF10K100EFC484-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K100EFC484-1X EPF10K100EFC484-3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $349,57 $142,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Series FLEX-10KE® —
Logic Elements / Cells 4992 4992
System Gates 100,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 624 624
Total RAM Bits 49,152 —
User I/O Count 338 —
Number of I/O Pins 338 (package provides up to 488 bonded I/O pads) —
Supply Voltage (Core) 2.5 V (2.375 V – 2.625 V) —
Supply Voltage (I/O) 3.3 V —
Process Technology 0.22 µm CMOS 0.22 µm CMOS
Maximum Internal Frequency 333.33 MHz —
Propagation Delay 0.6 ns (per logic element, typical) —
Boîtier 484-FBGA (FineLine BGA, 23 × 23 mm) 484-ball FineLine BGA (FC484 / FBGA-484)
Température de fonctionnement 0 °C to +70 °C (commercial) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Programming Interface JTAG / serial (ByteBlaster-compatible) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Total Gates — 100,000
Embedded Memory (EAB) — 49,152 bits (12 EABs)
User I/Os — 338
Core Voltage (VCCINT) — 2.5 V
I/O Voltage (VCCIO) — MultiVolt (2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant per bank)
Internal Performance — 200 MHz
Speed Grade — -3 (fastest commercial bin)
Temperature Grade — Commercial (0 °C to +70 °C)
Configuration Method — SRAM (external EPROM/Flash/JTAG required at power-up)
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix = lead-free)

Fiches techniques et ressources

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