EPM3032ALC44-4N vs EPM3032ALC44-7N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPM3032ALC44-4N par Intel et EPM3032ALC44-7N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EPM3032ALC44-4N | EPM3032ALC44-7N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | NRND |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,32 | $1,05 |
| Family | MAX 3000A | — |
| Device Type | CPLD (Complex Programmable Logic Device) | CPLD (Complex Programmable Logic Device) |
| Macrocells | 32 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 2 | — |
| Usable Gates | 600 | — |
| User I/O Pins | 34 | — |
| Pin-to-Pin Delay (tPD) | 4.5 ns | — |
| Maximum Counter Frequency (fCNT) | 227.3 MHz | — |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 3.3 V | — |
| I/O Supply Voltage (VCCIO) | 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V (MultiVolt) | — |
| Boîtier | 44-pin PLCC (J-Lead) | 44-PLCC (J-Lead, 16.59 x 16.59 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (PLCC socket compatible) |
| Programmability | EEPROM (non-volatile), IEEE 1149.1 JTAG ISP, IEEE 1532 compliant | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: industrial/commercial grade] | 0C to +70C (commercial grade) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: from datasheet] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Manufacturer | — | Altera (Intel) |
| Series | — | MAX 3000A |
| Macro Cells | — | 32 |
| Logic Gates | — | 600 usable gates |
| Propagation Delay (tPD1) | — | 7.5 ns (max, pin-to-pin) |
| Internal Counter Frequency (fCNT) | — | 227.3 MHz (max) |
| Number of Logic Elements / Blocks | — | 2 LABs (16 macrocells each) |
| Number of I/O Pins | — | 34 usable I/O (44 total package pins) |
| Number of Dedicated Inputs | — | 4 |
| Programmable Type | — | In-System Programmable (ISP) via JTAG (IEEE 1149.1) |
| Type de mémoire | — | EEPROM (non-volatile, 100 program/erase cycles) |
| Supply Voltage - Internal (VCCINT) | — | 3.0 V to 3.6 V (3.3 V typical) |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | MultiVolt: 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant |
| Niveau MSL | — | 3 (168 hours) |
| Process Technology | — | CMOS EEPROM |