EPM570GM100I5N vs EPM570M100C5N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPM570GM100I5N par Intel et EPM570M100C5N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPM570GM100I5N EPM570M100C5N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,55 $11,85
Family MAX II MAX II
Series EPM570 EPM570
Device Type CPLD (Complex Programmable Logic Device) CPLD (Complex Programmable Logic Device)
Number of Macrocells 440 —
Number of Logic Elements 570 —
Number of Logic Array Blocks (LABs) 57 —
Number of User I/Os 76 —
Maximum Operating Frequency 201.1 MHz —
Pin-to-Pin Propagation Delay 5.4 ns 5.4 ns
Operating Supply Voltage (Core) 1.8 V 2.5 V / 3.3 V
I/O Bank Supply Voltage Range 1.5 V to 3.3 V —
Boîtier 100-MBGA (FineLine BGA), 0.5 mm pitch 100-MBGA (FineLine BGA, 6 x 6 mm, 0.5 mm pitch)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement -40C to +85C (industrial grade) —
Configuration Memory On-chip non-volatile flash (instant-on) —
Programming Interface JTAG (IEEE 1149.1) JTAG (IEEE 1149.1) and ISP
Statut RoHS Compliant Lead-Free / Compliant
Speed Grade 5 —
Macrocell Count — 440
Logic Elements — 570
User I/Os — 76
Number of Logic Blocks / Array Blocks — [DATA_NEEDED: number of LABs]
Nombre de broches — 100
Maximum Frequency (fMAX) — 201.1 MHz
I/O Voltage Support — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (MultiVolt)
On-Chip User Flash Memory (UFM) — 8 Kbits
Process Technology — 0.18 um, 6-layer-metal flash
Plage de température de fonctionnement — 0 C to +85 C (Commercial)
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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