H58G56AK6QX032 vs H58G66CK8BX147N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G56AK6QX032 par SK hynix et H58G66CK8BX147N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G56AK6QX032 H58G66CK8BX147N
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $20,60 $34,60
Type de mémoire LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5X SDRAM
Density 32 Gbit (4 GB) 64 Gbit (8 GB)
Organisation de la mémoire 512M x64 x8 (single channel)
Débit de données 6400 Mbps/pin —
Core Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
I/O Supply Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Supply (VDD2) 1.8 V —
Bus Width 64-bit (x64) —
Peak Bandwidth (per device) 51.2 GB/s —
Grade Automotive —
Boîtier 315-ball FBGA 315-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Generation LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 standard) —
Application Domain Automotive / Industrial / Computing Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interface — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Fiches techniques et ressources

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