H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $12,96 $6,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Débit de données 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) —
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Interface Parallel CMOS, fully synchronous
Technology CMOS —
Température de fonctionnement -40C to +95C —
Boîtier FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) —
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Statut RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Density — 4 Gb
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Tension d'alimentation — 1.2 V
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Fiches techniques et ressources

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