H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate IV) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2400 MT/s |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Self-refresh and auto-refresh support |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-die termination (ODT) |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |