H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $2,25
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Интерфейс DDR4 (Double Data Rate IV) JEDEC DDR4 SDRAM
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2400 MT/s
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) DDR4 bank group architecture
Refresh Auto-refresh and self-refresh Self-refresh and auto-refresh support
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) On-die termination (ODT)
Статус RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену