H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | 2400 Mbps (PC2400) |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (JEDEC) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |