H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,25 $3,18
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
Скорость передачи данных 2400 MT/s 2400 Mbps (PC2400)
Интерфейс JEDEC DDR4 SDRAM DDR4 (JEDEC)
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Termination On-die termination (ODT) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Rohs Code: Yes)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Напряжение питания — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену