H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et K4A8G085WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $12,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (SSTL12) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Classification | — | B-die |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |