H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Speed Grade | — | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD) |
| Interface | — | DDR4 SSTL12 |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |