H5AN8G4NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G4NAFR-VKC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G4NAFR-VKC | H5AN8G6NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,98 | $6,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 4 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps per pin (DDR4-2666) | — |
| CAS Latency (CL) | 19 (CL19, speed bin VK) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (PBGA78) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR |
| Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 (Jul. 2017) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) |
| Data Rate Class | — | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |