H5AN8G4NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G4NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G4NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,98 $6,25
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 2G x 4 512M x 16
Datenrate 2666 Mbps per pin (DDR4-2666) —
CAS Latency (CL) 19 (CL19, speed bin VK) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Gehäuse 78-ball FBGA (PBGA78) FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Technology CMOS CMOS
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Application Main memory requiring large density and high bandwidth Main memory (high density, high bandwidth)
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
Core Supply Voltage — 1.2 V
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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