H5AN8G6NAFR vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR par SK hynix et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR AS4C512M16D4A-62BCN
Marque SK hynix Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $7,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Débit de données 2400 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Boîtier 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Température de fonctionnement 0°C to +85°C 0°C to 95°C
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Yes —
Write Leveling Yes —
Taille de mémoire — 8 Gbit
Latence CAS — 18 ns
Type de montage — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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