H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $7,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Latence CAS | — | 18 ns |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Interface | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |