H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et K4A8G085WB-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $6,80 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | 78 |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 85°C |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |