H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-PBC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Interface | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Débit de données | — | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |