H5AN8G8NAFR-UHC vs H5AN8G8NAFR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-UHC | H5AN8G8NAFR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $4,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps/pin (PC2400) | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (DDR4 standard) | — |
| Interface | CMOS, synchronous | DDR4 (JEDEC-class) |
| Boîtier | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Speed Grade Suffix | UHC | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Application Class | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] |