H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-UHCR par SK hynix et H5AN8G8NAFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-UHCR | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Débit de données | 2400 Mbps/pin (PC2400) | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface | CMOS, synchronous DDR4 | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Boîtier | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing Suffix | R = Tape & Reel | — |
| Speed Grade Code | -UH | — |
| Generation Family | H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Application Class | Main memory / high bandwidth | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade | — | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |