H5ANAG4NBJR-RDC vs MT40A1G8AG-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-RDC par SK hynix et MT40A1G8AG-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ Actif
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG4NBJR-RDC MT40A1G8AG-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,75 $3,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 4G x 4 1G x 8
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Débit de données 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) —
Boîtier 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Prefetch 16n (bank group architecture) —
Interface SSTL-12 Parallel
Caractéristiques Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
Statut RoHS Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Taille de mémoire — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

Fiches techniques et ressources

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