H5ANAG4NBJR-RDC vs MT40A1G8AG-062E 比較
詳細な並列比較: H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5ANAG4NBJR-RDC | MT40A1G8AG-062E |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.75 | $3.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| メモリ構成 | 4G x 4 | 1G x 8 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| データレート | 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Prefetch | 16n (bank group architecture) | — |
| インターフェース | SSTL-12 | Parallel |
| 特長 | Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode | — |
| Refresh | Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] | — |
| Operating Temperature (case) | -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) | — |
| Temperature Grade Suffix | RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free | — |
| RoHS ステータス | Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| Product Family | SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns class (-062E speed grade) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Temperature Grade | — | Automotive (AUT) |
| Access Time (CAS Latency class) | — | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CA Parity | — | Supported (DDR4 command/address parity) |
| Packaging Option | — | Tape and Reel (TR / :R suffix) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |