H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,09 $15,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Interface DDR4 (CMOS) DDR4, SSTL-12
Boîtier PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96 (PBGA96)
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
Température de fonctionnement -40C to +95C -40C to +95C (family grade reference)
Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported Yes
Write Leveling Supported Yes
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
Statut RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Débit de données — 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Tension d'alimentation — 1.2 V (DDR4 standard)
Type de montage — Surface Mount
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
CRC Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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