H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $15.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] |
| 인터페이스 | DDR4 (CMOS) | DDR4, SSTL-12 |
| 패키지 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | -40C to +95C (family grade reference) |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Write Leveling | Supported | Yes |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| RoHS 상태 | RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Manufacturer | — | SK Hynix |
| Part Number | — | H5ANAG6NBJR-VKC |
| Memory Density | — | 16Gb (2GB) |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (DDR4 standard) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |