H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $15,00 | $9,60 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (DDR4 standard) | — |
| Interface | DDR4, SSTL-12 | Synchronous, double data rate |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C (family grade reference) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Memory Organization | — | 16Gb x16 |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |