H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $15.00 $9.60
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
メモリ構成 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] —
データレート 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) 2666 Mbps (speed grade -RDC)
電源電圧 1.2 V (DDR4 standard) —
インターフェース DDR4, SSTL-12 Synchronous, double data rate
パッケージ FBGA-96 (PBGA96) FBGA (Ball Grid Array), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Memory Organization — 16Gb x16
Density — 16 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

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