H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $15,00 $3,55
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 2G x 8
Débit de données 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tension d'alimentation 1.2 V (DDR4 standard) —
Interface DDR4, SSTL-12 SSTL12
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free PBGA per family product data)
Density — 16 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis