H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NBJR-RDC H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 2666 | SK hynix

H5ANAG8NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $15,00 $3,55
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organización de memoria [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 2G x 8
Velocidad de datos 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tensión de alimentación 1.2 V (DDR4 standard) —
Interfaz DDR4, SSTL-12 SSTL12
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free PBGA per family product data)
Density — 16 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade (suffix R) — DDR4-2666 class
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet)
Bank Groups — 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet)
Data Strobe — DQS with read/write training
Data Bus Inversion — Supported (DBI)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Estado del ciclo de vida — Active

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