H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $72,10 $9,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600 class) 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Boîtier 96-ball FBGA FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
Density — 16 Gb
Interface — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

Fiches techniques et ressources

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