H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $72,10 $9,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps (PC4-25600 class) 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Encapsulado 96-ball FBGA FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
Density — 16 Gb
Interfaz — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

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