H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire 2G x 8 1G x 16
Interface DDR4 (Double Data Rate 4) CMOS, Double Data Rate IV
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Débit de données [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
Boîtier 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA-96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) Main memory, embedded computing, industrial controllers
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]

Fiches techniques et ressources

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