H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Mobile LPDDR4
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $9.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit 16 Gb (2 GB)
메모리 구성 2G x 8 1G x 16
인터페이스 DDR4 (Double Data Rate 4) CMOS, Double Data Rate IV
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] —
패키지 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA-96)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
동작 온도 [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) Main memory, embedded computing, industrial controllers
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]

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