H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NCMR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $8,05
Manufacturer SK Hynix —
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Débit de données DDR4-2400 (2400 MT/s) 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fiches techniques et ressources

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