H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-RDC | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,55 | $2,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Interface | SSTL12 | Parallel, DDR4 |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Manufacturer | — | SK Hynix |
| Débit de données | — | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |