H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG8NCR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NCR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-RDC | H5ANAG8NCR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,55 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Interface | SSTL12 | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Family | — | H5ANAG8N 16Gb DDR4 |
| Application Segment | — | Main memory (server, networking, industrial, embedded) |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |