H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG8NCR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG8NCR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $65,63 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| Interface | — | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) |
| Family | — | H5ANAG8N 16Gb DDR4 |
| Application Segment | — | Main memory (server, networking, industrial, embedded) |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |